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国产芯片升级中芯国际55 nm芯片小试生产

时间:2022-09-02 15:45来源:财安网 作者:lp 点击:
近日,中芯国际在发布2022年半年财务报告的同时,也公布了公司的核心技术。中芯国际成功开发00.35微米至FinFET逻辑工艺技术平台和特色工艺技术平台主要采用多种技术节点。 2022年上半年,多个平台按计划开发,稳步引入客户,产品多元化目标正在实现。报告期

  近日,中芯国际在发布2022年半年财务报告的同时,也公布了公司的核心技术。中芯国际成功开发00.35微米至FinFET逻辑工艺技术平台和特色工艺技术平台主要采用多种技术节点。

  2022年上半年,多个平台按计划开发,稳步引入客户,产品多元化目标正在实现。报告期内,55纳米BCD第一阶段平台已完成研发,进入小批量试生产。

  其他在研工艺还包括FinFET衍生技术平台,22纳米低功耗技术平台,28纳米高压显示驱动技术平台,40纳米嵌入式存储技术平台,40纳米嵌入式存储技术平台XNORFlash工艺平台等,都是国内领先的工艺水平,适用于智能家居、消费电子、AMOLED屏幕、汽车电视、电源管理、虚拟显示等。

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